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浙江大学秦发祥团队:调控MXene/Graphene基插层微球的异质界面工程,增强电磁波吸收性能

返回列表 浏览量: 发布日期:2025-09-12 15:05:58

本文亮点

1. 可扩展的喷雾冷冻干燥-微波辐照技术,制备了具有周期性插层结构和明显界面效应的rGO/MXene/TiO₂/Fe₂C轻型多孔微球

2. 通过精确调整微球结构单元中2D rGO/MXene插层周期定制分层结构,并借助Maxwell-Wagner界面极化模型和功函数影响下的界面电荷迁移机制阐释了受不同插层结构影响的界面电荷积累行为
3. 借助仿真模拟验证了二维纳米片插层结构界面效应所引发的极化特性增强

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图1. (a)具有周期性插层结构的GMX-MFe微球的合成示意图;不同微球形态图像:(b1)GMX1、(b2)GMX-M1、(b3)GMX-MFe1、(c1)GMX2、(c2)GMX-M2、(c3)GMX-MFe₂、(d1)GMX3、(d2)GMX-M3、(d3)GMX-MFe3、(e1)GMX4、(e₂)GMX-M4和(e3)GMX-MFe4 (插图是相应的元素映射图像)。

如图2所示,利用XRD、Raman、FT-IR、XPS等测试对不同微球样品的物相结构、化学组成等进行了系统表征。结果表明喷雾冷冻干燥过程在防止GO和MXene纳米片的随机自堆积,以及促进二维/二维交替插层异质结构的形成方面起到重要作用。当微球暴露在微波辐照下时,MXene纳米片与GO片层发生了原位氧化还原过程,生了大量的缺陷的同时引入半导体TiO₂颗粒,连同外部引入的磁性Fe₂C纳米粒子,极大的丰富了异质结构,为增强界面极化提供了基本条件。

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图2. (a)喷雾冷冻干燥的GMX3、分散的GMX3-D、微波辐射的GMX-M3和GMX-MFe3样品的XRD图谱;(b)MXene微球MXS、GO微球GOS、微波照射的GOS-M、GMX3、GMX-M3、GMX-MFe3的拉曼光谱;(c)GMX3、GMX-M3 和GMX-MFe3的XPS光谱;(d)GMX-MFe3的Fe 2p光谱;GMX3、GMX-M3和GMX-MFe3的(e)C 1s和(f)Ti 2p光谱。

对插层异质结构的进一步评估如图3所示,高分辨率TEM显示了单层GO和MXene的交替插层异质结构,XRD层间距的变化反映了GO和MXene在GMX微球结构单元中不同的插层周期。此外,TiO₂纳米颗粒均匀地分布在MXene片中,Fe₂C纳米颗粒均匀地装饰在半透明微球的"花瓣"上,2D/2D/0D/0D异质结为众多异质面提供了足够的接触面积。

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图3. (a)GMX3微球结构单元的HRTEM图像;(b)不同GMX微球的XRD图案和对应的层间距;(c1-c4)不同微球的的结构单元示意图;(d)GMX-MFe3微球结构单元的TEM图像;(e)TiO₂和(f)Fe₂C晶格缺陷的HRTEM图像。


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图4. (a)不同微球结构单元的插层结构;(b)异质界面模型示意图;(c)各组分功函数差异示意图;CST仿真下不同插层模型的能损分布图:(d)GM1、(e) GM2、(f)GM3、(g) GM4、(h)GM3颗粒、(i)GM颗粒微球;(j)GM1-GM4模型的相对有效异质界面面积和电荷密度;(k)GM1-GM4模型界面处的能损密度值。


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图5. 不同微球样品的介电常数实部曲线、虚部曲线、磁导率实部曲线、虚部曲线(a-d);(e)Cole-Cole半圆曲线;(f)电导损耗和极化损耗;三维反射损耗图(g-l)。

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图6. (a)宽频RCS曲线;(b)PEC和含有涂覆吸收层的PEC复合材料的RCS模拟曲线;(c)PEC和(d)GMX-MFe3的三维雷达波散射信号示意图;(e)GMX-3和(f) GMX-MFe3涂层PEC板在8.89 GHz极坐标系中的RCS曲线;(g)GMX-MFe微球电磁波吸收机理示意图。




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